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2N4999

产品描述2A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-59
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小196KB,共6页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数

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2N4999概述

2A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-59

2N4999规格参数

参数名称属性值
包装说明POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)5
JEDEC-95代码TO-59
JESD-30 代码O-MUPM-D3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)30 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
Base Number Matches1
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