BFG33TRL13,BFG33TRL13 pdf中文资料,BFG33TRL13引脚图,BFG33TRL13电路-Datasheet-电子工程世界

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BFG33TRL13: 产品描述TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小54KB，共1页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com

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BFG33TRL13概述

TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

BFG33TRL13规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	NXP(恩智浦)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.02 A
集电极-发射极最大电压	7 V
配置	SINGLE
最高频带	L BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
元件数量	1
端子数量	4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
最小功率增益 (Gp)	12 dB
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	12000 MHz

BFG33TRL13相似产品对比

	BFG33TRL13	BFG92ATRL	BFG92ATRL13	BFG93ATRL13	RLR07C2104FMB1423	BFG197TRL13	BFG197TRL	BFG33TRL
描述	TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal	TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal	TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR	Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 2100000ohm, 250V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED	TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal	TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal	TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	AXIAL LEADED	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	not_compliant	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
端子数量	4	4	4	4	2	4	4	4
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	Axial	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
表面贴装	YES	YES	YES	YES	NO	YES	YES	YES
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	-	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
最大集电极电流 (IC)	0.02 A	0.025 A	0.025 A	0.035 A	-	0.1 A	0.1 A	0.02 A
集电极-发射极最大电压	7 V	15 V	15 V	12 V	-	10 V	10 V	7 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最高频带	L BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	-	L BAND	L BAND	L BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	-	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
元件数量	1	1	1	1	-	1	1	1
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	-	NPN	NPN	NPN
最小功率增益 (Gp)	12 dB	17.5 dB	17.5 dB	17 dB	-	11 dB	11 dB	12 dB
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	-	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	12000 MHz	5000 MHz	5000 MHz	6000 MHz	-	7500 MHz	7500 MHz	12000 MHz

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