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MMST5401-TP

产品描述PNP Small Signal Transistors
文件大小71KB,共2页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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MMST5401-TP概述

PNP Small Signal Transistors

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
MMST5401
Features
Power dissipation: 200mW (T
amb
=25 )
Collector current: -0.2A
Marking : K4M
Operating and Storage junction temperature range
-55 to + 150
Case Material:Molded Plastic. UL Flammability
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1
O
PNP Small Signal
Transistors
SOT-323
A
D
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified
Symbol
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=-1.0mAdc, I
B
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=-100uAdc, I
E
=0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
E
=-10uAdc, I
C
=0)
Collector Cutoff Current
(V
CB
=-120Vdc, I
E
=0Vdc)
Emitter Cutoff Current
(V
EB
=-3Vdc, I
C
=0Vdc)
DC Current Gain
(I
C
=-1mAdc, V
CE
=-5Vdc)
(I
C
=-10mAdc, V
CE
=-5Vdc)
(I
C
=-50mAdc, V
CE
=-5Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=-10mAdc, I
B
=-1mAdc)
(I
C
=-50mAdc, I
B
=-5mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=-10mAdc, I
B
=-1mAdc)
(I
C
=-50mAdc, I
B
=-5mAdc)
Current Gain-Bandwidth Product
(V
CE
=-10Vdc, I
C
=-10mAdc, f=100MHz)
Output Capacitance
(V
CB
=-10Vdc, f=1.0MHz, I
E
=0)
Noise Figure
(V
CE
=-5V, I
C
=-0.2mA, f=-1KHz, R
g
=10¡)
Min
-150
-160
-5.0
---
---
Max
---
---
---
-50
-50
Units
Vdc
Vdc
OFF CHARACTERISTICS
(2)
B
C
C
B
E
Vdc
nAdc
nAdc
G
F
E
H
J
50
60
50
---
---
---
---
100
---
---
---
240
---
-0.2
-0.5
-1
-1
300
6
8
---
---
---
Vdc
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
K
DIMENSIONS
INCHES
MIN
MAX
.071
.087
.045
.053
.079
.087
.026 Nominal
.047
.055
.012
.016
.000
.004
.035
.039
.004
.010
.012
.016
MM
MIN
MAX
1.80
2.20
1.15
1.35
2.00
2.20
0.65Nominal
1.20
1.40
.30
.40
.000
.100
.90
1.00
.100
.250
.30
.40
V
CE(sat)
NOTE
V
BE(sat)
Vdc
MHz
pF
dB
f
T
C
ob
NF
Suggested Solder
Pad Layout
0.70
0.90
1.90
0.65
0.65
www.mccsemi.com
Revision: 3
1 of 2
2008/01/01

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