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MMST2907A

产品描述600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小76KB,共2页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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MMST2907A概述

600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

600 mA, 60 V, PNP, 硅, 小信号晶体管

MMST2907A规格参数

参数名称属性值
最大集电极电流0.6000 A
最大集电极发射极电压60 V
端子数量3
最大关断时间180 ns
each_compliYes
欧盟RoHS规范Yes
状态Active
结构SINGLE
最小直流放大倍数50
jesd_30_codeR-PDSO-G3
jesd_609_codee1
moisture_sensitivity_levelNOT SPECIFIED
元件数量1
最大工作温度150 Cel
包装材料PLASTIC/EPOXY
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
eak_reflow_temperature__cel_260
larity_channel_typePNP
wer_dissipation_max__abs_0.2000 W
qualification_statusCOMMERCIAL
sub_categoryOther Transistors
表面贴装YES
端子涂层TIN SILVER COPPER
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
额定交叉频率200 MHz

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MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
MMST2907A
Features
Power dissipation: 200mW (T
amb
=25 )
Collector current: -0.6A
Marking Code: K3F
Operating and Storage junction temperature range
-55 to + 150
PNP Small Signal
Transistors
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
and MSL Rating 1
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified
Symbol
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=-10mAdc, I
B
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=-10uAdc, I
E
=0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
E
=-10uAdc, I
C
=0)
Collector Cutoff Current
(V
CB
=-50Vdc, I
E
=0Vdc)
Collector Cutoff Current
(V
CE
=-35Vdc, I
B
=0Vdc)
Emitter Cutoff Current
(V
EB
=-3Vdc, I
C
=0Vdc)
DC Current Gain
(I
C
=-150mAdc, V
CE
=-10Vdc)
(I
C
=-1mAdc, V
CE
=-10Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=-500mAdc, I
B
=-50mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=-500mAdc, I
B
=-50mAdc)
Current Gain-Bandwidth Product
(V
CE
=-20Vdc, I
C
=-50mAdc, f=100MHz)
Output Capacitance
(V
CB
=-10Vdc, f=1.0MHz, I
E
=0)
V
CC
=-30V,I
C
=-150mA,
Delay Time
V
BE(off)
=-0.5V,I
B1
=-15mA
Rise Time
V
CC
=-30V, I
C
=-150mA,
Storage Time
I
B1
=I
B2
=-15mA
Fall Time
Min
-60
-60
-5.0
---
---
---
Max
---
---
---
-0.01
-0.05
-0.01
Units
Vdc
Vdc
O
SOT-323
A
D
OFF CHARACTERISTICS
(2)
B
C
C
B
E
Vdc
µAdc
µAdc
µAdc
---
---
Vdc
Vdc
MHz
pF
ns
ns
ns
ns
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
G
F
E
H
J
K
DIMENSIONS
INCHES
MIN
MAX
.071
.087
.045
.053
.079
.087
.026 Nominal
.047
.055
.012
.016
.000
.004
.035
.039
.004
.010
.012
.016
MM
MIN
MAX
1.80
2.20
1.15
1.35
2.00
2.20
0.65Nominal
1.20
1.40
.30
.40
.000
.100
.90
1.00
.100
.250
.30
.40
100
100
---
---
200
---
---
---
---
---
300
---
-0.6
-1.2
---
8
10
25
80
30
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
t
d
t
r
t
s
t
f
NOTE
Suggested Solder
Pad Layout
0.70
0.90
1.90
0.65
0.65
www.mccsemi.com
Revision: 3
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