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MMST2222A

产品描述40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小73KB,共2页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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MMST2222A概述

40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

40 V, NPN, 硅, 小信号晶体管

MMST2222A规格参数

参数名称属性值
最大集电极发射极电压40 V
端子数量3
最大关断时间285 ns
最大导通时间35 ns
加工封装描述ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, PLASTIC, PACKAGE-3
each_compliYes
欧盟RoHS规范Yes
状态Active
结构SINGLE
最小直流放大倍数100
jesd_30_codeR-PDSO-G3
jesd_609_codee3
moisture_sensitivity_level1
元件数量1
最大工作温度150 Cel
包装材料PLASTIC/EPOXY
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
eak_reflow_temperature__cel_260
larity_channel_typeNPN
qualification_statusCOMMERCIAL
表面贴装YES
端子涂层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_10
晶体管元件材料SILICON
额定交叉频率300 MHz

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

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MMST2222A
Features
Power Dissipation: 0.2W
Ultra-small surface mount package
Marking: K3P
Case Material:Molded Plastic. UL Flammability
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1
NPN
Plastic-Encapsulate
Transistors
Unit
V
V
V
mA
B
C
Maxim um Ratings
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
P
C
T
J
T
STG
Symbol
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Cut-off Current
(V
CB
=70V, I
E
=0)
Collector Cut-off Current
(V
CE
=35V, I
B
=0)
Emitter Cut-off Current
(V
EB
=3V, I
C
=0)
(1)
Power dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Rating
40
75
6.0
100
100
100
200
-55 to +150
-55 to +150
SOT-323
A
D
C
mA
mA
mW
B
F
E
E
Electrical Characteristics @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=1.0mAdc, I
B
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=10mAdc, I
E
=0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
E
=10uAdc, I
C
=0)
DC Current Gain
(I
C
=150mAdc, V
CE
=10Vdc)
(I
C
=1.0mAdc, V
CE
=10Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=500mAdc, I
B
=50mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=500mAdc, I
B
=50mAdc)
Transition Frequency
(V
CE
=20V, I
C
=20mA, f=100MHz)
Output Capacitance
(V
CB
=10V, I
E
=0mA, f=1MHz)
Delay Time
(V
CC
=30V , I
cc
=150mA ,V
BE(off)
=0.5V,
I
B1
=15mA)
Rise Time
(V
CC
=30V , I
cc
=150mA ,V
BE(off)
=0.5V,
I
B1
=15mA)
Storage Time
(V
CC
=30V , I
cc
=150mA , I
B1
=I
B2
=15mA)
Fall Time
(V
CC
=30V , I
cc
=150mA , I
B1
=I
B2
=15mA)
Min
Max
Units
G
H
J
OFF CHARACTERISTICS
(2)
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
40
75
6.0
---
---
---
Vdc
Vdc
Vdc
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
K
DIMENSIONS
INCHES
MIN
MAX
.071
.087
.045
.053
.079
.087
.026 Nominal
.047
.055
.012
.016
.000
.004
.035
.039
.004
.010
.012
.016
MM
MIN
MAX
1.80
2.20
1.15
1.35
2.00
2.20
0.65Nominal
1.20
1.40
.30
.40
.000
.100
.90
1.00
.100
.250
.30
.40
NOTE
ON CHARACTERISTICS
(2)
h
FE
100
50
---
---
300
---
---
300
---
0.6
1.2
---
8
10
---
---
Vdc
Vdc
Hz
pF
ns
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
t
d
Suggested Solder
Pad Layout
0.70
0.90
1.90
t
r
t
s
t
f
---
---
---
25
225
60
ns
ns
ns
0.65
0.65
www.mccsemi.com
Revision: 3
1 of 2
2008/01/01

MMST2222A相似产品对比

MMST2222A MMST2222A-TP
描述 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
最大集电极发射极电压 40 V 40 V
端子数量 3 3
最大关断时间 285 ns 285 ns
最大导通时间 35 ns 35 ns
加工封装描述 ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, PLASTIC, PACKAGE-3 ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, PLASTIC, PACKAGE-3
each_compli Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes
状态 Active Active
结构 SINGLE SINGLE
最小直流放大倍数 100 100
jesd_30_code R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
jesd_609_code e3 e3
moisture_sensitivity_level 1 1
元件数量 1 1
最大工作温度 150 Cel 150 Cel
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
eak_reflow_temperature__cel_ 260 260
larity_channel_type NPN NPN
qualification_status COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 YES YES
端子涂层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_ 10 10
晶体管元件材料 SILICON SILICON
额定交叉频率 300 MHz 300 MHz
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