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MMDT5401-TP

产品描述Plastic-Encapsulate Transistors
文件大小107KB,共3页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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MMDT5401-TP概述

Plastic-Encapsulate Transistors

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
MMDT5401
Features
Marking:K4M
Ideal for Low Power Amplification and Switching
Ultra-small Surface Mount Package
Epitaxial Planar Die Construction
Plastic-Encapsulate
Transistors
Unit
V
V
V
A
W
Maximum Ratings @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Collector Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Rating
-150
-160
-5
-0.2
0.2
-55 to +150
-55 to +150
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1
SOT-363
G
B
C
Electrical Characteristics @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=-1mAdc, I
B
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=-100uAdc, I
E
=0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
E
=-10uAdc, I
C
=0)
Collector Cutoff Current
(V
CB
=-120Vdc,I
E
=0)
Emitter Cutoff Current
(V
EB
=-3Vdc,I
C
=0)
DC Current Gain
(I
C
=-1mAdc, V
CE
=-5Vdc)
(I
C
=-10mAdc, V
CE
=-5Vdc)
(I
C
=-50mAdc, V
CE
=-5Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=-10mAdc, I
B
=-1mAdc)
(I
C
=-50mAdc, I
B
=-5mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=-10mAdc, I
B
=-1mAdc)
(I
C
=-50mAdc, I
B
=-5mAdc)
Current Gain-Bandwidth Product
(V
CE
=-10Vdc, I
C
=-10mAdc, f=100MHz)
Output Capacitance
(V
CB
=-5Vdc, f=1.0MHz, I
E
=0)
Noise Figure
(V
CE
=-10V,I
C
=-0.1mA, f=1KHz, R
S
=1k¡)
V
CC
=-3V,I
C
=-10mA,
Delay Time
V
BE
=-0.5V, I
B1
=-I
B2
=-1mA
Rise Time
V
CC
=-3V, I
C
=-10mA,
Storage Time
I
B1
=-I
B2
=-1mA
Fall Time
Min
-150
-160
-5
--
---
---
0.05
-0.05
Max
---
---
Units
Vdc
Vdc
Vdc
uA
uA
DIMENSIONS
K
J
D
L
M
A
H
h
FE
50
60
50
---
240
---
---
INCHES
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
M
MIN
.006
.045
.085
.026
.047
.071
---
.035
.010
.003
.055
.087
.004
.043
.018
.006
MAX
.014
.053
.096
V
CE(sat)
---
---
---
---
100
---
---
---
---
---
---
-0.2
-0.5
-1
-1
300
4.5
6
35
35
225
75
Vdc
V
BE(sat)
f
T
C
ob
NF
t
d
t
r
t
S
t
f
Vdc
MHz
pF
dB
ns
ns
ns
ns
MM
MIN
MAX
0.15
0.35
1.15
1.35
2.15
2.45
0.65Nominal
1.20
1.40
1.80
2.20
---
0.10
0.90
1.10
0.26
0.46
0.08
0.15
NOTE
Revision:
4
www.mccsemi.com
1 of 3
2008/12/31

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