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MMDT3904

产品描述200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小109KB,共2页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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MMDT3904概述

200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

200 mA, 40 V, 2 通道, NPN, 硅, 小信号晶体管

MMDT3904规格参数

参数名称属性值
端子数量6
晶体管极性NPN
最大导通时间70 ns
最大关断时间250 ns
最大集电极电流0.2000 A
最大集电极发射极电压40 V
加工封装描述ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层MATTE TIN
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SEPARATE, 2 ELEMENTS
元件数量2
晶体管元件材料SILICON
晶体管类型GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
最小直流放大倍数60
额定交叉频率300 MHz

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MCC
Micro Commercial Components
TM
Features
  omponents
20736 Marilla Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
MMDT3904
Case Material:Molded Plastic. UL Flammability
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1
Collector-Current:I
C
=0.2A
Epitaxial planar die construction
Ideal for low power amplification and switching
Marking: K6N
200mW
Plastic-Encapsulate
Transistors
Unit
mW
O
C/W
O
C
O
C
Maximum Ratings
Symbol
P
C
R
THJA
T
J
T
STG
Rating
(1)
Power dissipation
Thermal Resistance
Junction Temperature
Storage Temperature
Rating
200
625
-55 to +150
-55 to +150
SOT-363
G
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
EBO
I
CEO
I
CBO
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
A
B
C
ON CHARACTERISTICS
h
FE
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=1.0mAdc, I
B
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=10µAdc, I
E
=0)
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
E
=10µAdc, I
C
=0)
Emitter Cutoff Current
(V
EB
=5Vdc, I
C
=0)
Collector Cutoff Current
(V
CE
=30Vdc, I
B
=0)
Collect Cutoff Current
(V
CB
=30Vdc, I
E
=0)
40
60
5.0
50
50
50
Vdc
Vdc
Vdc
nAdc
nAdc
nAdc
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
M
K
H
M
J
D
DIMENSIONS
INCHES
MIN
MAX
.006
.014
.045
.053
.085
.096
.026
.047
.055
.071
.087
---
.004
.035
.043
.010
.018
.003
.006
MM
MIN
MAX
0.15
0.35
1.15
1.35
2.15
2.45
0.65Nominal
1.20
1.40
1.80
2.20
---
0.10
0.90
1.10
0.26
0.46
0.08
0.15
L
NOTE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
C
obo
DC Current Gain*
(I
C
=10mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
=50mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=50mAdc, I
B
=5.0mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=50mAdc, I
B
=5.0mAdc)
Current Gain-Bandwidth Product
(I
C
=10mAdc, V
CE
=20Vdc, f=100MHz)
Output Capacitance
(V
CB
=5.0Vdec, I
E
=0, f=1.0MHz)
Delay Time
Rise Time
Storage Time
Fall Time
(V
CC
=3.0Vdc, V
BE
=0.5Vdc
I
C
=10mAdc, I
B1
=1.0mAdc)
(V
CC
=3.0Vdc, I
C
=10mAdc
I
B1
=I
B2
=1.0mAdc)
100
60
300
0.3
0.95
Vdc
Vdc
300
4.0
35
35
200
50
MHz
pF
ns
ns
ns
ns
SWITCHING CHARACTERISTICS
t
d
t
r
t
s
t
f
Note: 1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.
Revision:
6
www.mccsemi.com
1 of 2
2009/02/24

MMDT3904相似产品对比

MMDT3904 MMDT3904-TP
描述 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
端子数量 6 6
晶体管极性 NPN NPN
最大导通时间 70 ns 70 ns
最大关断时间 250 ns 250 ns
最大集电极电流 0.2000 A 0.2000 A
最大集电极发射极电压 40 V 40 V
加工封装描述 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6
无铅 Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes
端子形式 GULL WING GULL WING
端子涂层 MATTE TIN MATTE TIN
端子位置 DUAL DUAL
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
结构 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
元件数量 2 2
晶体管元件材料 SILICON SILICON
晶体管类型 GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
最小直流放大倍数 60 60
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