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TB28F800BV-B90

产品描述Flash, 1MX8, 120ns, PDSO44, 0.525 X 1.110 INCH, PLASTIC, SOP-44
产品类别存储    存储   
文件大小556KB,共77页
制造商Intel(英特尔)
官网地址http://www.intel.com/
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TB28F800BV-B90概述

Flash, 1MX8, 120ns, PDSO44, 0.525 X 1.110 INCH, PLASTIC, SOP-44

TB28F800BV-B90规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SOIC
包装说明0.525 X 1.110 INCH, PLASTIC, SOP-44
针数44
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
其他特性CAN BE OPERATED IN 4.5V TO 5.5V; CAN BE CONFG AS 512K X 16; BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询NO
耐久性10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e0
长度28.2 mm
内存密度8388608 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模1,2,1,7
端子数量44
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP44,.63
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源3.3/5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.95 mm
部门规模16K,8K,96K,128K
最大待机电流0.000008 A
最大压摆率0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术MOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度13.3 mm
Base Number Matches1

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PRODUCT PREVIEW
8-MBIT (512K X 16, 1024K X 8)
SmartVoltage BOOT BLOCK
FLASH MEMORY FAMILY
28F800BV-T/B, 28F800CV-T/B, 28F008BV-T/B
28F800CE-T/B, 28F008BE-T/B
Intel SmartVoltage Technology
5V or 12V Program/Erase
2.7V, 3.3V or 5V Read Operation
Program Time Reduced 60% at
12V V
PP
Very High Performance Read
5V: 70/120 ns Max. Access Time,
30/40 ns Max. Output Enable Time
3V: 120/150 ns Max Access
65 ns Max. Output Enable Time
2.7V: 120 ns Max Access
65 ns Max. Output Enable Time
Low Power Consumption
Max 60 mA Read Current at 5V
Max 30 mA Read Current at 2.7–3.6V
x8/x16-Selectable Input/Output Bus
28F800 for High Performance 16- or
32-bit CPUs
x8-Only Input/Output Architecture
28F008B for Space-Constrained
8-bit Applications
Optimized Array Blocking Architecture
One 16-KB Protected Boot Block
Two 8-KB Parameter Blocks
One 96-KB Main Block
Seven 128-KB Main Blocks
Top or Bottom Boot Locations
Absolute Hardware-Protection for Boot
Block
Software EEPROM Emulation with
Parameter Blocks
Extended Temperature Operation
–40°C to +85°C
Extended Cycling Capability
100,000 Block Erase Cycles
(Commercial Temperature)
10,000 Block Erase Cycles
(Extended Temperature)
Automated Word/Byte Write and Block
Erase
Industry-Standard Command User
Interface
Status Registers
Erase Suspend Capability
SRAM-Compatible Write Interface
Automatic Power Savings Feature
1 mA Typical I
CC
Active Current in
Static Operation
Reset/Deep Power-Down Input
0.2 µA I
CC
Typical
Provides Reset for Boot Operations
Hardware Data Protection Feature
Erase/Write Lockout during Power
Transitions
Industry-Standard Surface Mount
Packaging
40-Lead TSOP
44-Lead PSOP: JEDEC ROM
Compatible
48-Lead TSOP
Footprint Upgradeable from 2-Mbit and
4-Mbit Boot Block Flash Memories
ETOX™ IV Flash Technology
Information in this document is provided solely to enable use of Intel products. Intel assumes no liability whatsoever, including infringement of any
patent or copyright, for sale and use of Intel products except as provided in Intel's Terms and Conditions of Sale for such products. Information
contained herein supersedes previously published specifications on these devices from Intel.
© INTEL CORPORATION 1995
September 1995
Order Number: 290539-002
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