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MMBTA55

产品描述500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小110KB,共4页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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MMBTA55概述

500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

500 mA, 80 V, PNP, 硅, 小信号晶体管

MMBTA55规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性PNP
最大集电极电流0.5000 A
最大集电极发射极电压80 V
加工封装描述塑料 PACKAGE-3
状态DISCONTINUED
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层锡 铅
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
元件数量1
晶体管应用放大器
晶体管元件材料
晶体管类型通用小信号
最小直流放大倍数100
额定交叉频率50 MHz

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
MMBTA55
THRU
MMBTA56
PNP General
Purpose Amplifier
SOT-23
A
D
Features
This device is designed for general purpose amplifier applications at
collector current to 300mA
Marking : MMBTA55=2H/B55, MMBTA56=2GM/B56
Case Material:Molded Plastic. UL Flammability
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1
Maximum Ratings
Symbol
V
CEO
Rating
Collector-Emitter Voltage
MMBTA55
MMBTA56
V
CBO
Collector-Base Voltage
MMBTA55
MMBTA56
V
EBO
I
C
T
J
T
STG
Symbol
P
D
R
JA
Symbol
Emitter-Base Voltage
Collector Current, Continuous
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Rating
Total Device Dissipation*
Derate above 25
O
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
O
Rating
60
80
60
80
4.0
500
-55 to +150
-55 to +150
Max
225
1.8
556
Min
Max
Unit
V
V
V
mA
O
C
O
C
Unit
mW
mW/
O
C
O
C/W
Units
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
C
B
C
B
F
E
E
Thermal Characteristics
G
H
J
K
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
MIN
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(1)
(I
C
=1.0mAdc, I
B
=0)
MMBTA55
MMBTA56
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
E
=100ì Adc, I
C
=0)
Collector Cutoff Current
(V
CB
=60Vdc, I
E
=0)
MMBTA55
(V
CB
=80Vdc, I
E
=0)
MMBTA56
Emitter Cutoff Current
(V
CE
=60Vdc, I
B
=0)
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
60
80
4.0
---
---
---
---
---
---
0.1
0.1
0.1
Vdc
V
(BR)EBO
I
CBO
Vdc
uAdc
uAdc
uAdc
MAX
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
MAX
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
NOTE
I
CES
Suggested Solder
Pad Layout
.031
.800
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(V
CE
=1.0Vdc, I
C
=10mAdc)
(V
CE
=1.0Vdc, I
C
=100mA)
V
CE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=100mAdc, I
B
=10mAdc)
V
BE(on)
Base-Emitter On Voltage
(I
C
=100mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
f
T
Current-Gain—Bandwidth Product
(2)
(I
C
=100mAdc, V
CE
=1.0Vdc, f=100MHz)
* FR-5=1.0 X 0.75 X 0.062 in.
1. Pulse Test: Pulse Width<300us, Duty Cycle<2.0%
2. Alumina=0.4 X 0.3 X 0.024 in. 99.5% alumina.
h
FE
100
100
---
---
50
---
---
0.25
1.2
---
---
.035
.900
.079
2.000
Vdc
Vdc
MHz
.037
.950
.037
.950
inches
mm
www.mccsemi.com
Revision: 5
1 of 4
2008/01/01

MMBTA55相似产品对比

MMBTA55 MMBTA56 MMBTA55-TP
描述 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
端子数量 3 3 3
最大集电极电流 0.5000 A 0.5000 A 0.5000 A
最大集电极发射极电压 80 V 80 V 60 V
加工封装描述 塑料 PACKAGE-3 塑料 PACKAGE-3 ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
状态 DISCONTINUED DISCONTINUED Active
包装形状 矩形的 矩形的 RECTANGULAR
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子涂层 锡 铅 锡 铅 MATTE TIN
端子位置 DUAL
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 PLASTIC/EPOXY
结构 单一的 单一的 SINGLE
元件数量 1 1 1
晶体管应用 放大器 放大器 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
最小直流放大倍数 100 100 100
额定交叉频率 50 MHz 50 MHz 50 MHz
晶体管极性 PNP PNP -
晶体管类型 通用小信号 通用小信号 -

 
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