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MMBT4401_08

产品描述600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小87KB,共4页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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MMBT4401_08概述

600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

600 mA, 40 V, NPN, 硅, 小信号晶体管

MMBT4401_08规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性NPN
最大导通时间35 ns
最大关断时间255 ns
最大集电极电流0.6000 A
最大集电极发射极电压40 V
加工封装描述SOT-23, 3 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层MATTE 锡
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
元件数量1
晶体管应用开关
晶体管元件材料
晶体管类型通用小信号
最小直流放大倍数40
额定交叉频率250 MHz

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
MMBT4401
Features
Surface Mount SOT-23 Package
Capable of 350mWatts of Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperatures: -55
I
C
=600mA
Marking:2X/M4A
Case Material:Molded Plastic. UL Flammability
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1
to 150
NPN General
Purpose Amplifier
SOT-23
A
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
(I
C
=1.0mAdc, I
B
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=10mAdc, I
E
=0)
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
E
=0.1mAdc, I
C
=0)
Base Cutoff Current
(V
CE
=35Vdc, V
BE
=0.4Vdc)
Collector Cutoff Current
(V
CE
=35Vdc, V
BE
=0.4Vdc)
DC Current Gain*
(I
C
=0.1mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
=1.0mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
=10mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
=150mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
=500mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=150mAdc, I
B
=15mAdc)
(I
C
=500mAdc, I
B
=50mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=150mAdc, I
B
=15mAdc)
(I
C
=500mAdc, I
B
=50mAdc)
Current Gain-Bandwidth Product
(I
C
=20mAdc, V
CE
=10Vdc, f=100MHz)
Collector-Base Capacitance
(V
CB
=5.0Vdc, I
E
=0, f=1.0MHz)
Emitter-Base Capacitance
(V
BE
=0.5Vdc, I
C
=0, f=1.0MHz)
Delay Time
(V
CC
=30Vdc, V
BE
=0.2Vdc
Rise Time
I
C
=150mAdc, I
B1
=15mAdc)
Storage Time
(V
CC
=30Vdc, I
C
=150mAdc
Fall Time
I
B1
=I
B2
=15mAdc)
300µs, Duty Cycle
2.0%
Min
40
60
6.0
0.1
0.1
Max
Units
Vdc
Vdc
Vdc
µAdc
G
F
E
D
C
B
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
BL
I
CEX
C
B
E
H
J
µAdc
K
DIMENSIONS
ON CHARACTERISTICS
h
FE
20
40
80
100
40
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
INCHES
MIN
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
300
V
CE(sat)
0.4
0.75
0.75
0.95
1.2
Vdc
V
BE(sat)
MAX
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
MM
MIN
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
MAX
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
NOTE
Vdc
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
C
cb
C
eb
250
6.5
30.0
15
20
225
30
MHz
pF
pF
ns
ns
ns
ns
.035
.900
Suggested Solder
Pad Layout
.031
.800
.079
2.000
SWITCHING CHARACTERISTICS
t
d
t
r
t
s
t
f
*Pulse Width
inches
mm
.037
.950
.037
.950
www.mccsemi.com
Revision: 6
1 of 4
2008/01/01

MMBT4401_08相似产品对比

MMBT4401_08 MMBT4401
描述 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
端子数量 3 3
晶体管极性 NPN NPN
最大导通时间 35 ns 35 ns
最大关断时间 255 ns 255 ns
最大集电极电流 0.6000 A 0.6000 A
最大集电极发射极电压 40 V 40 V
加工封装描述 SOT-23, 3 PIN SOT-23, 3 PIN
无铅 Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE
包装形状 矩形的 矩形的
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes
端子形式 GULL WING GULL WING
端子涂层 MATTE 锡 MATTE 锡
端子位置
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂
结构 单一的 单一的
元件数量 1 1
晶体管应用 开关 开关
晶体管元件材料
晶体管类型 通用小信号 通用小信号
最小直流放大倍数 40 40
额定交叉频率 250 MHz 250 MHz
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