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JANSF2N7389

产品描述Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, MODIFIED TO-39, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小617KB,共8页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准  
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JANSF2N7389概述

Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, MODIFIED TO-39, 3 PIN

JANSF2N7389规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1814919286
零件包装代码BCY
包装说明MODIFIED TO-39, 3 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas)165 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)6.5 A
最大漏源导通电阻0.35 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-205AF
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e4
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)26 A
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/630
表面贴装NO
端子面层GOLD OVER NICKEL
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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