Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin,
参数名称 | 属性值 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 10 A |
集电极-发射极最大电压 | 150 V |
配置 | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
JEDEC-95代码 | TO-63 |
JESD-30 代码 | O-MUPM-D3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | POST/STUD MOUNT |
极性/信道类型 | NPN |
功耗环境最大值 | 150 W |
最大功率耗散 (Abs) | 150 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | SOLDER LUG |
端子位置 | UPPER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 0.007 MHz |
VCEsat-Max | 3.5 V |
Base Number Matches | 1 |
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