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BUX39R1

产品描述Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小186KB,共3页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
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BUX39R1概述

Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

BUX39R1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称TT Electronics plc
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)30 A
集电极-发射极最大电压90 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)8 MHz

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SILICON EPITAXIAL
NPN TRANSISTOR
BUX39
High Current Capability.
Hermetic TO3 Metal package.
Ideally suited for Motor Control, Switching
and Linear Applications
Screening Options Available
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(TC = 25°C unless otherwise stated)
VCBO
VCEX
VCER
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
TJ
Tstg
Collector – Base Voltage
Collector – Emitter Voltage
Collector – Emitter Voltage
Collector – Emitter Voltage
Emitter – Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Base Current
Total Power Dissipation at
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
VBE = -1.5V
RBE = 100
120V
120V
110V
90V
7V
30A
40A
6A
120W
0.68W/°C
-65 to +200°C
-65 to +200°C
tp = 10ms
TC = 25°C
Derate Above 25°C
THERMAL PROPERTIES
Symbols
R
θJC
Parameters
Thermal Resistance, Junction To Case
Max.
1.46
Units
°C/W
Semelab Limited reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice.
Information furnished by Semelab is believed to be both accurate and reliable at the time of going to press. However
Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use. Semelab encourages customers to
verify that datasheets are current before placing orders.
Semelab Limited
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Telephone +44 (0) 1455 556565
Fax +44 (0) 1455 552612
Email:
sales@semelab-tt.com
Document Number 9312
Issue 1
Page 1 of 3
Website:
http://www.semelab-tt.com

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BUX39R1 BUX39.MOD BUX39.MODR1
描述 Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
是否Rohs认证 符合 不符合 符合
厂商名称 TT Electronics plc TT Electronics plc TT Electronics plc
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 TO-3, 2 PIN TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Code compliant compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 30 A 30 A 30 A
集电极-发射极最大电压 90 V 90 V 90 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 20 20
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 8 MHz 8 MHz 8 MHz
JESD-609代码 e1 - e1
端子面层 TIN SILVER COPPER - TIN SILVER COPPER
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