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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SN7002WL6433
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SN7002WL6433

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小311KB，共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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SN7002WL6433概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

SN7002WL6433规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.23 A
最大漏极电流 (ID)0.23 A
最大漏源导通电阻5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)4.5 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON

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SN7002W
SIPMOS
®
Small-Signal-Transistor
Feature
•
N-Channel
•
Enhancement mode
•
Logic Level
•
dv/dt rated
Drain
pin 3
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
60
5
0.23
PG-SOT-323
V
Ω
A
•
Qualified according to AEC Q101
•
Halogen-free according to IEC61249-2-21
Gate
pin1
Source
pin 2
Type
SN7002W
SN7002W
Package
PG-SOT-323
PG-SOT-323
Pb-free
Yes
Yes
Tape and Reel Information
H6327: 3000 pcs/reel
H6433: 10000 pcs/reel
Marking
sSN
sSN
Maximum Ratings,
at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Value
0.23
0.18
Unit
A
I
D
Pulsed drain current
T
A
=25°C
I
D puls
dv/dt
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
0.92
6
±20
0 (<250V)
0.5
-55... +150
55/150/56
W
°C
kV/µs
V
Reverse diode dv/dt
I
S
=0.23A,
V
DS
=48V, di/dt=200A/µs,
T
jmax
=150°C
Gate source voltage
ESD class (JESD22-A114-HBM)
Power dissipation
T
A
=25°C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Rev. 2.5
Page 1
2011-07-13

SN7002WL6433相似产品对比

SN7002WL6433 SN7002WL6327 SN7002WE6433 SN7002WE6327
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code compliant compliant unknown unknow
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.23 A 0.23 A 0.23 A 0.23 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.5 W 0.5 W 0.5 W 0.5 W
表面贴装 YES YES YES YES
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99
湿度敏感等级 1 1 - 1

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