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SJVP0635N2

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 350V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小123KB,共4页
制造商Supertex
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SJVP0635N2概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 350V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39

SJVP0635N2规格参数

参数名称属性值
厂商名称Supertex
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压350 V
最大漏极电流 (ID)0.4 A
最大漏源导通电阻25 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)20 pF
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值6 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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