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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2N2857LEADFREE
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2N2857LEADFREE

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-72,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小33KB，共1页
制造商Central Semiconductor
标准
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2N2857LEADFREE概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-72,

2N2857LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.04 A
基于收集器的最大容量1 pF
集电极-发射极最大电压15 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码TO-72
JESD-30 代码O-MBCY-W4
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量4
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)1000 MHz
Base Number Matches1

2N2857LEADFREE相似产品对比

2N2857LEADFREE 2N917ALEADFREE 2N917LEADFREE 2N3478LEADFREE 2N3839LEADFREE 2N998LEADFREE 2N2865LEADFREE
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-72, RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-72, Small Signal Bipolar Transistor, 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-72, TO-72, 4 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-72, RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-72, Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-72, TO-72, 4 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-72,
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli compli
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE DARLINGTON SINGLE
JEDEC-95代码 TO-72 TO-72 TO-72 TO-72 TO-72 TO-72 TO-72
JESD-30 代码 O-MBCY-W4 O-MBCY-W4 O-MBCY-W4 O-MBCY-W4 O-MBCY-W4 O-MBCY-W4 O-MBCY-W4
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4 4 4 4
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260 260 260 260
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 MATTE TIN (315) MATTE TIN (315) MATTE TIN (315) MATTE TIN (315) MATTE TIN (315) MATTE TIN (315) MATTE TIN (315)
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10 10 10 10 10
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 1000 MHz 600 MHz 500 MHz 750 MHz 1000 MHz 60 MHz 600 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1
基于收集器的最大容量 1 pF 1.7 pF - 1 pF 1 pF - 2.5 pF
集电极-发射极最大电压 15 V - 15 V - 15 V 60 V -
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER - AMPLIFIER - AMPLIFIER

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