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FF200R12KL

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小99KB,共2页
制造商EUPEC [eupec GmbH]
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FF200R12KL概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,

FF200R12KL规格参数

参数名称属性值
厂商名称EUPEC [eupec GmbH]
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)200 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-PUFM-X7
元件数量2
端子数量7
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON

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