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HER1001G

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AL, DO-41, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小145KB,共2页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
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HER1001G概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AL, DO-41, 2 PIN

HER1001G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
包装说明DO-41, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-204AL
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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HER1001G thru HER1007G
Glass Passivated High Efficient Rectifiers
Reverse Voltage 50 to 1000 Volts Forward Current 1.0 Ampere
Features
Glass passivated chip
Ultra fast switching for high efficiency
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with Freon, Alcohol, Chlorothene and similar
solvents
Plastic material has UL flammabitily classification 94V-0
Mechanical Data
Case : JEDEC DO-204AL(DO-41) molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.012 ounce, 0.335 gram
Mounting position : Any
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Parameter
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5mm) lead length at T
A
=55
o
C
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A (Note 2)
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
Maximum reverse recovery time
I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
= 0.25A
Typical junction capacitance at 4.0V, 1MHz
Typical thermal resistance (Note 1)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Notes:
Symbols
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
R
θ
JL
T
J
T
STG
HER
1001G
50
35
50
HER
1002G
100
70
100
HER
1003G
200
140
200
HER
1004G
400
280
400
1.0
HER
1005G
600
420
600
HER
1006G
800
560
800
HER
1007G
1000
700
1000
Units
Volts
Volts
Volts
Amp
30.0
1.0
1.3
5.0
100
50
17
60
15
-55 to +150
-55 to +150
75
1.7
Amps
Volts
uA
nS
pF
o
@T
A
=25 C
@T
A
=100
o
C
o
C/W
o
C
C
o
1. Thermal resistance from junction to ambient at 0.375" (9.5mm) lead length
2. Pulse test: 300us pulse width, 1% duty cycle
155
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