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2N5625

产品描述Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小663KB,共11页
制造商Solitron Devices Inc
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2N5625概述

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,

2N5625规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)70
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值116 W
最大功率耗散 (Abs)100 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)40 MHz
VCEsat-Max0.9 V
Base Number Matches1
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