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SN74AUP3G04DCUR概述

Low-Power Triple Inverter Gate 8-VSSOP -40 to 85

SN74AUP3G04DCUR规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Texas Instruments
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	SOIC
包装说明	VSSOP, TSSOP8,.12,20
针数	8
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	1 week
Samacsys Descripti	Low-Power Triple Inverter Gate
系列	AUP/ULP/V
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e4
长度	2.3 mm
负载电容（CL）	30 pF
逻辑集成电路类型	INVERTER
最大I（ol）	0.004 A
湿度敏感等级	1
功能数量	3
输入次数	1
端子数量	8
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VSSOP
封装等效代码	TSSOP8,.12,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法	TR
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.2/3.3 V
最大电源电流（ICC）	0.0009 mA
Prop。Delay @ Nom-Su	25.5 ns
传播延迟（tpd）	25.5 ns
认证状态	Not Qualified
施密特触发器	NO
座面最大高度	0.9 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	0.8 V
标称供电电压 (Vsup)	1.2 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	2 mm

SN74AUP3G04DCUR相似产品对比

	SN74AUP3G04DCUR	SN74AUP3G04DQER	SN74AUP3G04RSER	SN74AUP3G04YFPR
描述	Low-Power Triple Inverter Gate 8-VSSOP -40 to 85	Low-Power Triple Inverter Gate 8-X2SON -40 to 85	Low-Power Triple Inverter Gate 8-UQFN -40 to 85	Low-Power Triple Inverter Gate 8-DSBGA -40 to 85
Brand Name	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	SOIC	QFN	QFN	BGA
包装说明	VSSOP, TSSOP8,.12,20	HSON, SOLCC8,.04,14	QCCN, LCC8,.06SQ,20	VFBGA, BGA8,2X4,16
针数	8	8	8	8
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
Factory Lead Time	1 week	6 weeks	1 week	1 week
系列	AUP/ULP/V	AUP/ULP/V	AUP/ULP/V	AUP/ULP/V
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-N8	S-XQCC-N8	R-PBGA-B8
JESD-609代码	e4	e4	e4	e1
长度	2.3 mm	1.4 mm	1.5 mm	1.57 mm
负载电容（CL）	30 pF	30 pF	30 pF	30 pF
逻辑集成电路类型	INVERTER	INVERTER	INVERTER	INVERTER
最大I（ol）	0.004 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A
湿度敏感等级	1	1	1	1
功能数量	3	3	3	3
输入次数	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	UNSPECIFIED	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VSSOP	HSON	QCCN	VFBGA
封装等效代码	TSSOP8,.12,20	SOLCC8,.04,14	LCC8,.06SQ,20	BGA8,2X4,16
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG	CHIP CARRIER	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
包装方法	TR	TR	TR	TR
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260
电源	1.2/3.3 V	1.2/3.3 V	1.2/3.3 V	1.2/3.3 V
最大电源电流（ICC）	0.0009 mA	0.0009 mA	0.0009 mA	0.0009 mA
Prop。Delay @ Nom-Su	25.5 ns	25.5 ns	25.5 ns	25.5 ns
传播延迟（tpd）	25.5 ns	25.5 ns	25.5 ns	25.5 ns
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
施密特触发器	NO	NO	NO	NO
座面最大高度	0.9 mm	0.4 mm	0.6 mm	0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	0.8 V	0.8 V	0.8 V	0.8 V
标称供电电压 (Vsup)	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)	Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	GULL WING	NO LEAD	NO LEAD	BALL
端子节距	0.5 mm	0.35 mm	0.5 mm	0.4 mm
端子位置	DUAL	DUAL	QUAD	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	2 mm	1 mm	1.5 mm	0.77 mm
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	-	Texas Instruments(德州仪器)

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