HY62256BLT1-10I,HY62256BLT1-10I pdf中文资料,HY62256BLT1-10I引脚图,HY62256BLT1-10I电路-Datasheet-电子工程世界

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HY62256BLT1-10I: 产品描述Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28; 产品类别存储存储; 文件大小246KB，共10页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HY62256BLT1-10I概述

Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28

HY62256BLT1-10I规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSOP1, TSSOP28,.53,22
针数	28
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	100 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e0
长度	11.8 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装等效代码	TSSOP28,.53,22
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.00005 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.55 mm
端子位置	DUAL
宽度	8 mm

HY62256BLT1-10I相似产品对比

	HY62256BLT1-10I	HY62256BLLP-10I	HY62256BLLR1-10I	HY62256BLR1-10I	HY62256BLJ-10I	HY62256BLP-10I	HY62256BLLJ-10I	HY62256BLLT1-10I
描述	Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28	Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28	Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28	Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28	Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28	Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	TSOP	DIP	TSOP	TSOP	SOIC	DIP	SOIC	TSOP
包装说明	TSOP1, TSSOP28,.53,22	DIP, DIP28,.6	TSOP1-R, TSSOP28,.53,22	TSOP1-R, TSSOP28,.53,22	SOP, SOP28,.5	DIP, DIP28,.6	SOP, SOP28,.5	TSOP1, TSSOP28,.53,22
针数	28	28	28	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G28	R-PDIP-T28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDIP-T28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	11.8 mm	37 mm	11.8 mm	11.8 mm	18.39 mm	37 mm	18.39 mm	11.8 mm
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28	28	28
字数	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1	DIP	TSOP1-R	TSOP1-R	SOP	DIP	SOP	TSOP1
封装等效代码	TSSOP28,.53,22	DIP28,.6	TSSOP28,.53,22	TSSOP28,.53,22	SOP28,.5	DIP28,.6	SOP28,.5	TSSOP28,.53,22
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	IN-LINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	4.826 mm	1.2 mm	1.2 mm	2.794 mm	4.826 mm	2.794 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.00005 A	0.00002 A	0.00002 A	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A	0.00002 A	0.00002 A
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
最大压摆率	0.06 mA	0.06 mA	0.06 mA	0.06 mA	0.06 mA	0.06 mA	0.06 mA	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	YES	YES	YES	NO	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.55 mm	2.54 mm	0.55 mm	0.55 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	0.55 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	8 mm	15.24 mm	8 mm	8 mm	8.69 mm	15.24 mm	8.69 mm	8 mm
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)

HY62256BLT1-10I

HY62256BLT1-10I概述

HY62256BLT1-10I规格参数

HY62256BLT1-10I相似产品对比

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