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2N2601

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小794KB,共5页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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2N2601概述

Transistor

2N2601规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.05 A
配置Single
最高工作温度175 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.4 W
表面贴装NO
标称过渡频率 (fT)20 MHz
Base Number Matches1

2N2601相似产品对比

2N2601 2N3059 2N2615 2N3058 2N2195A 2N1420 2N4986 2N2205 2N2206 2N2602
描述 Transistor Transistor Transistor Transistor Transistor Transistor Silicon Surge Protector, 9V V(BO) Max Transistor Transistor Transistor
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknown unknow unknow unknow
最高工作温度 175 °C 200 °C 175 °C 200 °C 200 °C 175 °C 125 °C 200 °C 200 °C 175 °C
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.1 A - 0.1 A 1 A 1 A - 0.2 A 0.2 A 0.05 A
配置 Single Single Single Single Single Single - Single Single Single
极性/信道类型 PNP PNP NPN PNP NPN NPN - NPN NPN PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.4 W 0.4 W 0.3 W 0.4 W 0.6 W 0.6 W - 0.3 W 0.3 W 0.4 W
标称过渡频率 (fT) 20 MHz - 500 MHz - 50 MHz - - 200 MHz 200 MHz 40 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 - - - -
最小直流电流增益 (hFE) - 100 20 40 20 100 - 20 40 -
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