Nibble Mode DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Hitachi (Renesas ) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP18,.3 |
针数 | 18 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | NIBBLE |
最长访问时间 | 70 ns |
其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH |
I/O 类型 | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T18 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 22.26 mm |
内存密度 | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | NIBBLE MODE DRAM |
内存宽度 | 1 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 18 |
字数 | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 1MX1 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP18,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 512 |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最大待机电流 | 0.001 A |
最大压摆率 | 0.08 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 7.62 mm |
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