IRFF121R,IRFF121R pdf中文资料,IRFF121R引脚图,IRFF121R电路-Datasheet-电子工程世界

IRFF121R: 产品描述6A, 80V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小175KB，共5页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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IRFF121R概述

6A, 80V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF

IRFF121R规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	36 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	6 A
最大漏极电流 (ID)	6 A
最大漏源导通电阻	0.3 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-205AF
JESD-30 代码	O-MBCY-W3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	20 W
最大功率耗散 (Abs)	20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	24 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	170 ns
最大开启时间（吨）	110 ns

IRFF121R相似产品对比

	IRFF121R	IRFF120R	IRFF122R	IRFF123R
描述	6A, 80V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF	6A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF	5A, 100V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF	5A, 80V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	36 mJ	36 mJ	36 mJ	36 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	80 V	100 V	100 V	80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	6 A	6 A	5 A	5 A
最大漏极电流 (ID)	6 A	6 A	5 A	5 A
最大漏源导通电阻	0.3 Ω	0.3 Ω	0.4 Ω	0.4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-205AF	TO-205AF	TO-205AF	TO-205AF
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	20 W	20 W	20 W	20 W
最大功率耗散 (Abs)	20 W	20 W	20 W	20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	24 A	24 A	20 A	20 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	170 ns	170 ns	170 ns	170 ns
最大开启时间（吨）	110 ns	110 ns	110 ns	110 ns
Base Number Matches	-	1	1	1

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