Page Mode DRAM, 16KX4, 100ns, MOS, PDIP18
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | FUJITSU(富士通) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP18,.3 |
针数 | 18 |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 100 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T18 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 65536 bit |
内存集成电路类型 | PAGE MODE DRAM |
内存宽度 | 4 |
端子数量 | 18 |
字数 | 16384 words |
字数代码 | 16000 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 16KX4 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP18,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 128 |
表面贴装 | NO |
技术 | MOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
MB81416-10P | MB81416-12 | MB81416-12Z | MB81416-10 | MB81416-15 | |
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描述 | Page Mode DRAM, 16KX4, 100ns, MOS, PDIP18 | 16KX4 PAGE MODE DRAM, 120ns, CQCC18 | Page Mode DRAM, 16KX4, 120ns, MOS, CDIP18 | 16KX4 PAGE MODE DRAM, 100ns, CQCC18 | 16KX4 PAGE MODE DRAM, 150ns, CQCC18 |
厂商名称 | FUJITSU(富士通) | FUJITSU(富士通) | FUJITSU(富士通) | FUJITSU(富士通) | FUJITSU(富士通) |
包装说明 | DIP, DIP18,.3 | QCCN, | DIP, DIP18,.3 | QCCN, | QCCN, |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
最长访问时间 | 100 ns | 120 ns | 120 ns | 100 ns | 150 ns |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T18 | R-CQCC-N18 | R-XDIP-T18 | R-CQCC-N18 | R-CQCC-N18 |
内存密度 | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit |
内存集成电路类型 | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM |
内存宽度 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 |
端子数量 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 |
字数 | 16384 words | 16384 words | 16384 words | 16384 words | 16384 words |
字数代码 | 16000 | 16000 | 16000 | 16000 | 16000 |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 16KX4 | 16KX4 | 16KX4 | 16KX4 | 16KX4 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP | QCCN | DIP | QCCN | QCCN |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER | IN-LINE | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 128 | 128 | 128 | 128 | 128 |
表面贴装 | NO | YES | NO | YES | YES |
技术 | MOS | NMOS | MOS | NMOS | NMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD | THROUGH-HOLE | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | DUAL | QUAD | DUAL | QUAD | QUAD |
ECCN代码 | - | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | - | PAGE | - | PAGE | PAGE |
其他特性 | - | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | - | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
功能数量 | - | 1 | - | 1 | 1 |
端口数量 | - | 1 | - | 1 | 1 |
工作模式 | - | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最大供电电压 (Vsup) | - | 5.5 V | - | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | - | 4.5 V | - | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | - | 5 V | - | 5 V | 5 V |
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