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SB250

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-15,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小55KB,共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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SB250概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-15,

SB250规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.7 V
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流500 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
SB220 --- SB260
VOLTAGE RANGE: 20 --- 60V
CURRENT: 2.0 A
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Metal-Semiconductor junction with guard ring
Epitaxial construction
Low forward voltage drop,low switching losses
High surge capability
For use in low voltage,high frequency inverters free
xxxx
wheeling,and polarity protection applications
The plastic m aterial carries U/L recognition 94V-0
DO - 15
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO--15,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.014 ounces,0.39 grams
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
am bient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
SB220
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
SB230
30
21
30
SB240
40
28
40
2.0
SB250
50
35
50
SB260
60
42
60
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
20
14
20
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
50.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 2.0A (Note1)
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
@T
A
=25
@T
A
=100
(Note2)
(Note3)
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
0.55
0.5
20.0
170
35
-
55
---- + 125
-
55
---- + 150
0.70
V
mA
pF
/W
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note: 1. Pulse test : 300 s pulse width,1% duty cy cle.
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3.Thermal resistance junction to ambient.
www.galaxycn.com
Document Number 0266005
BL
GALAXY ELECTRICAL
1
.

 
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