SMZ10B ... SMZ200B (2 W, 2%)
SMZ10B ... SMZ200B (2 W, 2%)
Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology)
Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2012-04-02
Maximum power dissipation
Maximale Verlustleistung
Nominal Z-voltage
Nominale Z-Spannung
0.5
2.5
2W
10...200 V
DO-213AB
0.12 g
Plastic case MELF
Kunststoffgehäuse MELF
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Type
Typ
0.5
Dimensions - Maße [mm]
Zener voltage is selected to a tolerance of ~ ±2%.
Die Zener-Spannung ist selektiert auf ~ ±2% Toleranz.
Maximum ratings and Characteristics
Power dissipation
Verlustleistung
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
P
tot
P
ZSM
T
j
T
S
R
thA
R
thT
5.0
Grenz- und Kennwerte
SMZ-series
2 W
1
)
60 W
+150°C
-50...+175°C
<45 K/W
1
)
<15 K/W
Max. operating junction temperature – Max. Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
2
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite
1
2
Mounted on P.C. board with 50 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
SMZ10B ... SMZ200B (2 W, 2%)
120
[%]
100
10
18
24
30
36
43
51
56
62
68
75
82
91
100
80
I
Zmax
60
T
j
= 25°C
I
ZT
40
Typical breakdown characteristic
– tested with pulses
Typische Abbruchspannung
– gemessen mit Impulsen
20
P
tot
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature
1
)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.
1
)
10
2
[A]
10
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
1
10
-1
I
F
10
-2
0.4
30a-(1a-1.1v)
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
[pF]
V
R
= 0V
V
R
= 4V
T
j
= 25°C
f = 1.0 MHz
V
R
= 20V
V
R
= 40V
C
j
V
Z
[V]
Junction capacitance vs. zener voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
3
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