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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRFP141

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IRFP141: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 80V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小43KB，共1页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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IRFP141概述

Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 80V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

IRFP141规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TO-3P
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	230 mJ
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	29 A
最大漏极电流 (ID)	28 A
最大漏源导通电阻	0.077 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	125 W
最大功率耗散 (Abs)	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	110 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	135 ns
最大开启时间（吨）	133 ns

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