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PTFA041001E

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, H-30248-2, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小239KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准  
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PTFA041001E概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, H-30248-2, 2 PIN

PTFA041001E规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压65 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
JESD-609代码e4
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层GOLD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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