PHD69N03LT/T3,PHD69N03LT/T3 pdf中文资料,PHD69N03LT/T3引脚图,PHD69N03LT/T3电路-Datasheet-电子工程世界

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PHD69N03LT/T3: 产品描述TRANSISTOR 69 A, 25 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, DPAK-3, FET General Purpose Power; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小111KB，共11页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com

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PHD69N03LT/T3概述

TRANSISTOR 69 A, 25 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, DPAK-3, FET General Purpose Power

PHD69N03LT/T3规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	NXP(恩智浦)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）	60 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	25 V
最大漏极电流 (ID)	69 A
最大漏源导通电阻	0.014 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	240 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	215 ns
最大开启时间（吨）	175 ns

PHD69N03LT/T3相似产品对比

	PHD69N03LT/T3	PHB69N03LT	PHB69N03LT/T3	PHB69N03LTT/R	PHD69N03LT	PHP69N03LT
描述	TRANSISTOR 69 A, 25 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, DPAK-3, FET General Purpose Power	69A, 25V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3	TRANSISTOR 69 A, 25 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET General Purpose Power	TRANSISTOR 69 A, 25 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET General Purpose Power	TRANSISTOR 69 A, 25 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, DPAK-3, FET General Purpose Power	TRANSISTOR 69 A, 25 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, FET General Purpose Power
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）	60 mJ	60 mJ	60 mJ	60 mJ	60 mJ	60 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V
最大漏极电流 (ID)	69 A	69 A	69 A	69 A	69 A	69 A
最大漏源导通电阻	0.014 Ω	0.014 Ω	0.014 Ω	0.014 Ω	0.014 Ω	0.014 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	125 W	125 W	125 W	125 W	125 W	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	240 A	240 A	240 A	240 A	240 A	240 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	NO
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	215 ns	215 ns	215 ns	215 ns	215 ns	215 ns
最大开启时间（吨）	175 ns	175 ns	175 ns	175 ns	175 ns	175 ns
Base Number Matches	-	1	1	1	1	-

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