Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HM51W18165LJI-6

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HM51W18165LJI-6: 产品描述EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42; 产品类别存储存储; 文件大小489KB，共32页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HM51W18165LJI-6概述

EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42

HM51W18165LJI-6规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ42,.44
针数	42
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J42
JESD-609代码	e0
长度	27.06 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	42
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ42,.44
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
座面最大高度	3.76 mm
自我刷新	YES
最大待机电流	0.00015 A
最大压摆率	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm

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HM51W18165I Series

1048576-word

16-bit Dynamic RAM

ADE-203-755A (Z)

Rev. 1.0

Mar. 10, 1997

Description

The Hitachi HM51W18165I is a CMOS dynamic RAM organized as 1,048,576-word

16-bit. It employs the

most advanced CMOS technology for high performance and low power. The HM51W18165I offers

Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode. It is packaged in 42-pin plastic SOJ.

Features

•

Single 3.3 V supply: 3.3 V

0.3 V

•

Access time : 60 ns/70 ns (max)

•

Power dissipation



Active mode : 612 mW /540 mW (max)



Standby mode : 7.2 mW (max)

: 0.54 mW (max) (L-version)

EDO page mode capability

Refresh cycles



1024 refresh cycles : 16 ms

: 128 ms (L-version)

4 variations of refresh



RAS-only

refresh



CAS-before-RAS

refresh



Hidden refresh



Self refresh (L-version)

2CAS-byte control

Battery backup operation (L-version)

Temperature range: –40 to +85˚C

•

HM51W18165LJI-6相似产品对比

	HM51W18165LJI-6	HM51W18165JI-7	HM51W18165LJI-7	HM51W18165JI-6
描述	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42	EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42	EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ42,.44	SOJ, SOJ42,.44	SOJ, SOJ42,.44	SOJ, SOJ42,.44
针数	42	42	42	42
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns	70 ns	70 ns	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J42	R-PDSO-J42	R-PDSO-J42	R-PDSO-J42
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	27.06 mm	27.06 mm	27.06 mm	27.06 mm
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM
内存宽度	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	42	42	42	42
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
封装等效代码	SOJ42,.44	SOJ42,.44	SOJ42,.44	SOJ42,.44
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024	1024	1024
座面最大高度	3.76 mm	3.76 mm	3.76 mm	3.76 mm
自我刷新	YES	NO	YES	NO
最大待机电流	0.00015 A	0.001 A	0.00015 A	0.001 A
最大压摆率	0.17 mA	0.15 mA	0.15 mA	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm

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