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24AA01T/SNB21

产品描述128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8
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文件大小191KB,共13页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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24AA01T/SNB21概述

128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8

24AA01T/SNB21规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOP,
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值200
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度4.9 mm
内存密度1024 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数128 words
字数代码128
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128X8
输出特性OPEN-DRAIN
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
串行总线类型I2C
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
Base Number Matches1

24AA01T/SNB21相似产品对比

24AA01T/SNB21 24AA01/SNB21 24AA02T/SM 24AA01T/SM
描述 128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8 128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8
零件包装代码 SOIC SOIC SOIC SOIC
包装说明 SOP, SOP, 0.207 INCH, PLASTIC, SOIC-8 SOP, SOP8,.3
针数 8 8 8 8
Reach Compliance Code compli compli compli unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED 2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED 2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED 2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED
最大时钟频率 (fCLK) 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz
数据保留时间-最小值 200 200 200 200
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
长度 4.9 mm 4.9 mm 5.28 mm 5.28 mm
内存密度 1024 bi 1024 bi 2048 bi 1024 bi
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8
字数 128 words 128 words 256 words 128 words
字数代码 128 128 256 128
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128X8 128X8 256X8 128X8
输出特性 OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP SOP SOP SOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm 1.75 mm 2.03 mm 2.03 mm
串行总线类型 I2C I2C I2C I2C
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 3.9 mm 3.9 mm 5.2 mm 5.2 mm
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms 10 ms 10 ms 10 ms
Base Number Matches 1 1 1 1
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 符合 -
JESD-609代码 e3 e3 e3 -
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 -
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) -
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 -
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