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STA8351

产品描述Power Bipolar Transistor, 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小245KB,共1页
制造商Silicon Transistor Corporation
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STA8351概述

Power Bipolar Transistor, 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

STA8351规格参数

参数名称属性值
厂商名称Silicon Transistor Corporation
零件包装代码TO-204AA
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
集电极-发射极最大电压140 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)40 MHz

STA8351相似产品对比

STA8351 2N3236 2N3238 2N3239 2N3446 2N3448 2N1489
描述 Power Bipolar Transistor, 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN Transistor Transistor Transistor Transistor Power Bipolar Transistor, 6A I(C), NPN
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
配置 SINGLE SINGLE Single Single Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 20 17 8.5 8.5 20 40 25
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
标称过渡频率 (fT) 40 MHz 1 MHz 1 MHz 1 MHz 10 MHz 10 MHz 1 MHz
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
最大集电极电流 (IC) - 15 A 15 A 15 A 7.5 A 7.5 A 6 A
JESD-609代码 - e0 e0 e0 e0 e0 e0
最高工作温度 - 175 °C 175 °C 175 °C 200 °C 200 °C 175 °C
最大功率耗散 (Abs) - 150 W 150 W 150 W 115 W 115 W 75 W
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches - 1 1 1 1 1 1

 
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