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GBU8M-BP

产品描述8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小97KB,共3页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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GBU8M-BP概述

8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

8 A, 1000 V, 硅, 桥式整流二极管

GBU8M-BP规格参数

参数名称属性值
端子数量4
元件数量4
最小击穿电压1000 V
最大平均输入电流8 A
加工封装描述ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBU, 4 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
端子形式THROUGH-HOLE
端子涂层MATTE TIN
端子位置SINGLE
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
相数1
最大重复峰值反向电压1000 V
最大非重复峰值正向电流200 A

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MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736
Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
GBU8A
THRU
GBU8M
8 Amp Single Phase
Glass Passivated
Bridge Rectifier
50 to 1000 Volts
GBU
Features
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
and MSL Rating 1
Glass Passivated Chip Junction
High Surge Overload Rating
Lead Free Finish/RoHS Compliant (NOTE 1)("P" Suffix
designates RoHS Compliant. See ordering information)
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55°C to +150°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Typical Thermal Resistance
2.2°C/W
Junction to Case
UL Recognized File # E165989
Maximum
Maximum
MCC
Device
Recurrent
Maximum
DC
Part Number Marking
Peak
RMS
Blocking
Reverse
Voltage
Voltage
Voltage
GBU8A
GBU8A
50V
35V
50V
GBU8B
GBU8B
100V
70V
100V
GBU8D
GBU8D
200V
140V
200V
GBU8G
GBU8G
400V
280V
400V
GBU8J
GBU8J
600V
420V
600V
GBU8K
GBU8K
800V
560V
800V
GBU8M
GBU8M
1000V
700V
1000V
Case Style
A
G
H
1.90 RADIUS
3.2x45
C
N
N
I B
J
+
N
D
E
N
-
K
L
~
~
M
F
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
I t Rating for fusing
Typical Junction
Capacitance
Notes:
2
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.860
.720
.130
.690
.030
.018
.290
.140
.065
.089
.077
.040
.190
MM
MAX
MIN
.880
21.80
.740
18.30
.140
3.30
.710
17.50
.039
0.76
.022
0.46
.310
7.40
.160
3.50
.085
1.65
.108
2.25
.093
1.95
.050
1.02
.210
4.83
7.0 TYPICAL
I
F(AV)
I
FSM
V
F
8A
200A
Tc = 100°C
8.3ms, half sine
I
FM
=4A
T
J
= 25°C
1.0V
5
µA
500uA
I
R
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
MAX
22.30
18.80
3.56
18.00
1.00
0.56
7.90
4.10
2.16
2.75
2.35
1.27
5.33
NOTE
It
C
J
2
166A
2
S (t<8.3ms)
60pF
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
1.
High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7
www.mccsemi.com
Revision:
6
1 of 3
2008/03/24

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