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GBU4D

产品描述2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小165KB,共3页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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GBU4D概述

2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

2.8 A, 200 V, 硅, 桥式整流二极管

GBU4D规格参数

参数名称属性值
端子数量4
元件数量4
最大平均输入电流2.8 A
加工封装描述20.80 × 18 MM, 3.30 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, 塑料 PACKAGE-4
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式THROUGH-孔
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构桥, 4 ELEMENTS
二极管元件材料
二极管类型桥式整流二极管
相数1
最大重复峰值反向电压200 V
最大非重复峰值正向电流200 A

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MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736
Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
GBU4A
TH
RU
GBU4M
4 Amp Single Phase
Glass Passivated
Bridge Rectifier
50 to 1000 Volts
GBU
Features
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
and MSL Rating 1
Glass Passivated Chip Junction
High Surge Overload Rating
Lead Free Finish/RoHS Compliant (NOTE 1)("P" Suffix
designates RoHS Compliant. See ordering information)
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55°C to +150°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
UL Recognized File # E165989
Maximum
Recurrent
Peak
Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Maximum
DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
MCC
Part Number
Device
Marking
Maximum
RMS
Voltage
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
Case Style
A
G
H
1.90 RADIUS
3.2x45
GBU4A
GBU4B
GBU4D
GBU4G
GBU4J
GBU4K
GBU4M
GBU4A
GBU4B
GBU4D
GBU4G
GBU4J
GBU4K
GBU4M
C
N
N
I B
J
+
N
D
E
N
-
K
L
~
~
M
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
(NOTE 1,2 )
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Typical thermal
resistance per leg
Typical Junction
Capacitance
Notes:
F
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.860
.720
.130
.690
.030
.018
.290
.140
.065
.089
.077
.040
.190
MM
MAX
MIN
.880
21.80
.740
18.30
.140
3.30
.710
17.50
.039
0.76
.022
0.46
.310
7.40
.160
3.50
.085
1.65
.108
2.25
.093
1.95
.050
1.02
.210
4.83
7.0 TYPICAL
I
F(AV)
I
FSM
V
F
4A
150A
Tc = 100°C
8.3ms, half sine
I
FM
=2A
T
J
= 25°C
1.0V
5
µA
500uA
I
R
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
MAX
22.30
18.80
3.56
18.00
1.00
0.56
7.90
4.10
2.16
2.75
2.35
1.27
5.33
NOTE
R
OJC
C
J
2.2
°C
/W
45pF
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
1.
High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7
www.mccsemi.com
Revision:
6
1 of 3
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