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BF245C-D75Z

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小25KB,共3页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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BF245C-D75Z概述

Transistor

BF245C-D75Z规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
Reach Compliance Codeunknown
FET 技术JUNCTION
JESD-609代码e3
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)

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BF245A/BF245B/BF245C
BF245A/BF245B/BF245C
N-Channel Amplifiers
• This device is designed for VHF/UHF amplifiers.
• Sourced from process 50.
1
TO-92
1. Gate 2. Source 3. Drain
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
DG
V
GS
I
GF
P
D
T
J,
T
STG
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Forward Gate Current
Total Device Dissipation @T
A
=25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
Parameter
Value
30
-30
10
350
2.8
- 55 ~ 150
Units
V
V
mA
mW
mW/°C
°C
Electrical Characteristics
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Condition
V
DS
= 0, I
G
= 1µA
V
DS
= 15V, I
D
= 200µA
Min.
-30
-0.4
-1.6
-3.2
-0.5
-2.2
-3.8
-7.5
-8
-5
Max.
Units
V
V
Off Characteristics
V
(BR)GSS
Gate-Source Breakdown Voltage
V
GS
Gate-Source
BF245A
BF245B
BF245C
V
GS
(off)
I
GSS
Gate-Source Cut-off Voltage
Gate Reverse Current
V
DS
= 15V, I
D
= 10nA
V
GS
= -20V, V
GS
= 0
V
nA
On Characteristics
I
DSS
Zero-Gate Voltage Drain Current
BF245A
BF245B
BF245C
On Characteristics
Common Source Forward
g
fs
Transconductance
V
GS
= 15V, V
GS
= 0
2
6
12
3
6.5
15
25
6.5
mA
V
GS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1KHz
mmhos
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2003

 
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