Standard SRAM, 1KX4, 200ns, CMOS, PDIP18
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Harris |
| 包装说明 | DIP, DIP18,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 200 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T18 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 4096 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 18 |
| 字数 | 1024 words |
| 字数代码 | 1000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1KX4 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | NO |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP18,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.00005 A |
| 最小待机电流 | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.008 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| MWS5114E3X | MWS5114D2X | MWS5114E1X | MWS5114D1X | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 1KX4, 200ns, CMOS, PDIP18 | Standard SRAM, 1KX4, 250ns, CMOS, CDIP18, | Standard SRAM, 1KX4, 300ns, CMOS, PDIP18, | Standard SRAM, 1KX4, 300ns, CMOS, CDIP18, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Harris | Harris | Harris | Harris |
| 包装说明 | DIP, DIP18,.3 | DIP, DIP18,.3 | DIP, DIP18,.3 | DIP, DIP18,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 200 ns | 250 ns | 300 ns | 300 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T18 | R-CDIP-T18 | R-PDIP-T18 | R-CDIP-T18 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 4096 bit | 4096 bit | 4096 bit | 4096 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 18 | 18 | 18 | 18 |
| 字数 | 1024 words | 1024 words | 1024 words | 1024 words |
| 字数代码 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 1KX4 | 1KX4 | 1KX4 | 1KX4 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | NO | NO | NO | NO |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP18,.3 | DIP18,.3 | DIP18,.3 | DIP18,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.00005 A | 0.00005 A | 0.000125 A | 0.000125 A |
| 最小待机电流 | 2 V | 2 V | 2 V | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.008 mA | 0.008 mA | 0.008 mA | 0.008 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6.5 V | 6.5 V | 6.5 V | 6.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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