Oscillator Driver for Crystal Oscillator or Ceramic Resonator 8-VSSOP -40 to 125
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | VSSOP, |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 系列 | LVC/LCX/Z |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 2.3 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | INVERTER/BUFFER |
| 最大I（ol） | 0.032 A |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 2 |
| 输入次数 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VSSOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 包装方法 | TR |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 最大电源电流（ICC） | 0.01 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 8 ns |
| 传播延迟（tpd） | 25.7 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | YES |
| 座面最大高度 | 0.9 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 2 mm |
| SN74LVC1404DCUR | SN74LVC1404DCTR | SN74LVC1404YZPR | SN74LVC1404YEPR | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Oscillator Driver for Crystal Oscillator or Ceramic Resonator 8-VSSOP -40 to 125 | Oscillator Driver for Crystal Oscillator or Ceramic Resonator 8-SM8 -40 to 125 | Oscillator Driver for Crystal Oscillator or Ceramic Resonator 8-DSBGA -40 to 85 | IC OSCILLATOR DRIVER 8-DSBGA |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC | BGA | BGA |
| 包装说明 | VSSOP, | LSSOP, | VFBGA, | VFBGA, |
| 针数 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | compli | compli | compli | not_compliant |
| Factory Lead Time | 1 week | 1 week | 1 week | 1 week |
| 系列 | LVC/LCX/Z | LVC/LCX/Z | LVC/LCX/Z | LVC/LCX/Z |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-XBGA-B8 | R-XBGA-B8 |
| 长度 | 2.3 mm | 2.95 mm | 1.9 mm | 1.9 mm |
| 逻辑集成电路类型 | INVERTER/BUFFER | INVERTER/BUFFER | INVERTER/BUFFER | INVERTER/BUFFER |
| 功能数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 输入次数 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | VSSOP | LSSOP | VFBGA | VFBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 260 | NOT SPECIFIED |
| 传播延迟（tpd） | 25.7 ns | 25.7 ns | 25.7 ns | 25.7 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 0.9 mm | 1.3 mm | 0.5 mm | 0.5 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V | 1.65 V | 1.65 V | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.5 mm | 0.65 mm | 0.5 mm | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 2 mm | 2.8 mm | 0.9 mm | 0.9 mm |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | - |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - |
| JESD-609代码 | e4 | e4 | e1 | - |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | 50 pF | - |
| 最大I（ol） | 0.032 A | 0.032 A | 0.032 A | - |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 | - |
| 包装方法 | TR | TR | TR | - |
| 最大电源电流（ICC） | 0.01 mA | 0.01 mA | 0.01 mA | - |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 8 ns | 8 ns | 8 ns | - |
| 施密特触发器 | YES | YES | YES | - |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - |
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