SB3100: 产品描述3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小217KB，共2页; 制造商Gulf Semiconductor; 官网地址http://www.gulfsemi.com/

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SB3100概述

3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

3 A, 100 V, 硅, 整流二极管, DO-201AD

SB3100规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Gulf Semiconductor
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknow
其他特性	LOW POWER LOSS
应用	EFFICIENCY
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.79 V
JEDEC-95代码	DO-201AD
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	80 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	3 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	100 V
最大反向电流	500 µA
表面贴装	NO
技术	SCHOTTKY
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL

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SB370 THRU SB3100

SCHOTTKY BARRIER

RECTIFIER

VOLTAGE: 70 TO 100V

CURRENT: 3.0A

FEATURE

High current capability, Low forward voltage drop

Low power loss, high efficiency

High surge capability

High temperature soldering guaranteed

250° /10sec/0.375" lead length at 5 lbs tension

DO-201AD

MECHANICAL DATA

Terminal: Plated axial leads solderable per

MIL-STD 202E, method 208C

Case: Molded with UL-94 Class V-0 recognized Flame

Retardant Epoxy

Polarity: color band denotes cathode

Mounting position: any

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated)

SYMBOL

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified

Current 3/8" lead length

Peak Forward Surge Current 8.3ms single

half sine-wave superimposed on rated load

Maximum Forward Voltage at 3.0A DC

Maximum DC Reverse Current

at rated DC blocking voltage

Typical Junction Capacitance

Typical Thermal Resistance

Storage Temperature Range

Operating Temperature Range

Note:

1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc

2. Thermal Resistance from Junction to Ambient at 0.5" lead length, vertical P.C. Board Mounted

Ta =25°C

Ta =100°

(Note 1)

(Note 2)

Vrrm

Vrms

Vdc

If(av)

Ifsm

R(ja)

Tstg

370

380

3.0

80.0

0.79

500

20.0

25.0

-55 to +150

-55 to +125

390

3100

100

units

° /W

Rev.A5

www.gulfsemi.com

SB3100相似产品对比

	SB3100	SB380	SB370
描述	3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 70 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
厂商名称	Gulf Semiconductor	Gulf Semiconductor	Gulf Semiconductor
包装说明	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow
其他特性	LOW POWER LOSS	LOW POWER LOSS	LOW POWER LOSS
应用	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.79 V	0.79 V	0.79 V
JEDEC-95代码	DO-201AD	DO-201AD	DO-201AD
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	80 A	80 A	80 A
元件数量	1	1	1
相数	1	1	1
端子数量	2	2	2
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C
最大输出电流	3 A	3 A	3 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	100 V	80 V	70 V
最大反向电流	500 µA	500 µA	500 µA
表面贴装	NO	NO	NO
技术	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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