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SB160

产品描述1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小90KB,共2页
制造商Gulf Semiconductor
官网地址http://www.gulfsemi.com/
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SB160概述

1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

SB160规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Gulf Semiconductor
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.7 V
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流40 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压60 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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SB120 THRU SB160
SCHOTTKY BARRIER
RECTIFIER
VOLTAGE: 20 TO 60V
CURRENT: 1.0A
FEATURE
High current capability, Low forward voltage drop
Low power loss, high efficiency
High surge capability
High temperature soldering guaranteed
250° /10sec/0.375" lead length at 5 lbs tension
C
DO-41
MECHANICAL DATA
Terminal: Plated axial leads solderable per
MIL-STD 202E, method 208C
Case: Molded with UL-94 Class V-0 recognized Flame
Retardant Epoxy
Polarity: color band denotes cathode
Mounting position: any
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated)
SYMBOL
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current 3/8" lead length
Peak Forward Surge Current 8.3ms single
half sine-wave superimposed on rated load
Maximum Forward Voltage at 1.0A DC
Vrrm
Vrms
Vdc
If(av)
Ifsm
Vf
0.5
SB
120
20
14
20
SB
130
30
21
30
SB
140
40
28
40
1.0
40.0
0.7
SB
150
50
35
50
SB
160
60
42
60
units
V
V
V
A
A
V
uA
mA
pF
°C /W
°
C
°
C
500
Maximum DC Reverse Current
Ta =25°C
Ir
at rated DC blocking voltage
Ta =100°
C
10.0
Typical Junction Capacitance
(Note 1)
Cj
110.0
Typical Thermal Resistance
(Note 2)
R(ja)
50.0
Storage and Operating Junction Temperature
Tj
-65 to +125
-65 to +150
Storage Temperature
Tstg
-65 to +150
Note:
1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient at 0.5" lead length, vertical P.C. Board Mounted
1
1
Rev.A6
www.gulfsemi.com

SB160相似产品对比

SB160 SB120 SB130 SB140 SB150
描述 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 O-PALF-W2 PLASTIC PACKAGE-2 O-PALF-W2 PLASTIC PACKAGE-2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.7 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.7 V
JEDEC-95代码 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
湿度敏感等级 1 1 1 1 1
最大非重复峰值正向电流 40 A 40 A 40 A 40 A 40 A
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 125 °C 125 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 60 V 20 V 30 V 40 V 50 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
厂商名称 Gulf Semiconductor Gulf Semiconductor - Gulf Semiconductor Gulf Semiconductor
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