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SB120E: 产品描述1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小91KB，共2页; 制造商Gulf Semiconductor; 官网地址http://www.gulfsemi.com/

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SB120E概述

1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

SB120E规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Gulf Semiconductor
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW POWER LOSS
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	O-PALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	20 V
表面贴装	NO
技术	SCHOTTKY
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL

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SB120E THRU SB160E

SCHOTTKY BARRIER

RECTIFIER

VOLTAGE: 20 TO 60V

CURRENT: 1.0A

FEATURE

High current capability, Low forward voltage drop

Low power loss, high efficiency

High surge capability

High temperature soldering guaranteed

250° /10sec/0.375" lead length at 5 lbs tension

A-405

MECHANICAL DATA

Terminal: Plated axial leads solderable per

MIL-STD 202E, method 208C

Case: Molded with UL-94 Class V-0 recognized Flame

Retardant Epoxy

Polarity: color band denotes cathode

Mounting position: any

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated)

SYMBOL

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified

Current 3/8" lead length

Peak Forward Surge Current 8.3ms single

half sine-wave superimposed on rated load

Maximum Forward Voltage at 1.0A DC

Vrrm

Vrms

Vdc

If(av)

Ifsm

0.5

120E

130E

140E

1.0

40.0

0.7

150E

160E

units

°C /W

1.0

Maximum DC Reverse Current

Ta =25°C

at rated DC blocking voltage

Ta =100°

10.0

Typical Junction Capacitance

(Note 1)

110.0

Typical Thermal Resistance

(Note 2)

R(ja)

50.0

Storage and Operating Junction Temperature

-65 to +125

-65 to +150

Storage Temperature

Tstg

-65 to +150

Note:

1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc

2. Thermal Resistance from Junction to Ambient at 0.5" lead length, vertical P.C. Board Mounted

Rev.A5

www.gulfsemi.com

SB120E相似产品对比

	SB120E	SB140E
描述	1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
厂商名称	Gulf Semiconductor	Gulf Semiconductor
包装说明	O-PALF-W2	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	LOW POWER LOSS	LOW POWER LOSS
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2
元件数量	1	1
端子数量	2	2
最高工作温度	125 °C	125 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	1 A	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	20 V	40 V
表面贴装	NO	NO
技术	SCHOTTKY	SCHOTTKY
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL

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