Logic Gates Low-Pwr Sngl 2-Input Positive-NAND Gate
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | QFN |
| 包装说明 | HVQCCN, LCC14/18,.14SQ,20 |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 系列 | LVC/LCX/Z |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-N14 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 3.5 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.024 A |
| 湿度敏感等级 | 2 |
| 功能数量 | 4 |
| 输入次数 | 2 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | HVQCCN |
| 封装等效代码 | LCC14/18,.14SQ,20 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
| 包装方法 | TAPE AND REEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 3.3 V |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 5.5 ns |
| 传播延迟（tpd） | 12.5 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 座面最大高度 | 1 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 3.5 mm |
| SN74LVC00ARGYRG4 | SN74LVC00ADTE4 | SN74LVC00APWTG4 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Logic Gates Low-Pwr Sngl 2-Input Positive-NAND Gate | Logic Gates Low-Pwr Sngl 2-Input Positive-NAND Gate | Logic Gates Low-Pwr Sngl 2-Input Positive-NAND Gate |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | QFN | SOIC | TSSOP |
| 包装说明 | HVQCCN, LCC14/18,.14SQ,20 | SOP, SOP14,.25 | TSSOP, TSSOP14,.25 |
| 针数 | 14 | 14 | 14 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow |
| 系列 | LVC/LCX/Z | LVC/LCX/Z | LVC/LCX/Z |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-N14 | R-PDSO-G14 | R-PDSO-G14 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 | e4 |
| 长度 | 3.5 mm | 8.65 mm | 5 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE | NAND GATE | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.024 A | 0.024 A | 0.024 A |
| 湿度敏感等级 | 2 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 4 | 4 | 4 |
| 输入次数 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 14 | 14 | 14 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | HVQCCN | SOP | TSSOP |
| 封装等效代码 | LCC14/18,.14SQ,20 | SOP14,.25 | TSSOP14,.25 |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 包装方法 | TAPE AND REEL | TAPE AND REEL | TR |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 260 |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 5.5 ns | 5.5 ns | 5.5 ns |
| 传播延迟（tpd） | 12.5 ns | 14 ns | 14 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO | NO | NO |
| 座面最大高度 | 1 mm | 1.75 mm | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V | 1.65 V | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | NO LEAD | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm | 1.27 mm | 0.65 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 3.5 mm | 3.9 mm | 4.4 mm |
| Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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