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MWT-H16-1

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-15
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小134KB,共2页
制造商Microwave_Technology_Inc.
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MWT-H16-1概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-15

MWT-H16-1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microwave_Technology_Inc.
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N15
针数15
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
FET 技术HIGH ELECTRON MOBILITY
最大反馈电容 (Crss)0.14 pF
最高频带KA BAND
JESD-30 代码R-XUUC-N15
元件数量1
端子数量15
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)10 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
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