RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-15
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Microwave_Technology_Inc. |
零件包装代码 | DIE |
包装说明 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N15 |
针数 | 15 |
Reach Compliance Code | unknown |
配置 | SINGLE |
FET 技术 | HIGH ELECTRON MOBILITY |
最大反馈电容 (Crss) | 0.14 pF |
最高频带 | KA BAND |
JESD-30 代码 | R-XUUC-N15 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 15 |
工作模式 | DEPLETION MODE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最小功率增益 (Gp) | 10 dB |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
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