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IRFBA34N50CPBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPER-220, 4 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小54KB，共3页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IRFBA34N50CPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPER-220, 4 PIN

	IRFBA34N50CPBF
描述	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPER-220, 4 PIN
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	480 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V
最大漏极电流 (ID)	40 A
最大漏源导通电阻	0.075 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	160 A
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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