Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 20V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 36 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 67 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 42 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0079 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 57 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 260 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| IRF3704ZCSPBF | IRF3704ZCSTRRP | IRF3704ZCLPBF | IRF3704ZCSTRLP | IRF3704ZCSTRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 20V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK | MOSFET N-CH 20V 67A TO-262 | MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 20V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 |
| FET 类型 | - | N 沟道 | N 沟道 | N 沟道 | - |
| 技术 | - | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） | - |
| 漏源电压（Vdss） | - | 20V | 20V | 20V | - |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | - | 67A（Tc） | 67A（Tc） | 67A（Tc） | - |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - | 4.5V，10V | 4.5V，10V | 4.5V，10V | - |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | - | 7.9 毫欧 @ 21A，10V | 7.9 毫欧 @ 21A，10V | 7.9 毫欧 @ 21A，10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.55V @ 250µA | 2.55V @ 250µA | 2.55V @ 250µA | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 13nC @ 4.5V | 13nC @ 4.5V | 13nC @ 4.5V | - |
| Vgs（最大值） | - | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1220pF @ 10V | 1220pF @ 10V | 1220pF @ 10V | - |
| 功率耗散（最大值） | - | 57W（Tc） | 57W（Tc） | 57W（Tc） | - |
| 工作温度 | - | -55°C ~ 175°C（TJ） | -55°C ~ 175°C（TJ） | -55°C ~ 175°C（TJ） | - |
| 安装类型 | - | 表面贴装 | 通孔 | 表面贴装 | - |
| 供应商器件封装 | - | D2PAK | TO-262 | D2PAK | - |
| 封装/外壳 | - | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | - |
DSP 与 ARM 处理器
嵌入式系统
汽车电子
嵌入式系统
嵌入式系统
安防电子
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
