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SBG2030CT

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 30V V(RRM), Silicon, D2PAK-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小121KB,共2页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
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SBG2030CT概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 30V V(RRM), Silicon, D2PAK-3

SBG2030CT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micro Commercial Components (MCC)
零件包装代码TO-263
包装说明R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流225 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最大输出电流20 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736
Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
SBG2030CT
THRU
SBG2045CT
20 Amp
Schottky
Features
Meatl of Silicon Rectifier, Majority Conducton
Guard ring for transient protection
Low Forward Voltage Drop
High Current Capability, High Efficiency
Low Power Loss
Barrier Rectifier
30 to 45 Volts
Maximum Ratings
Operating Junction Temperature: -55°C to +125°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
MCC
Catalog
Number
SBG2030CT
SBG2035CT
SBG2040CT
SBG2045CT
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
30V
35V
40V
45V
Maximum
RMS
Voltage
21V
24.5V
28V
31.5V
Maximum
DC
Blocking
Voltage
30V
35V
40V
45V
D PAK
K
A
K
2
I
D
B
F
C
1
K
2
G
E
J
H
PIN 1
PIN 2
K
HEATSINK
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Typical Junction
Capacitance
I
F(AV)
I
FSM
20 A
225A
T
C
= 105°C
8.3ms, half sine


MM

9.65
14.60
8.25
1.14
0.51
2.29
2.29
2.03
1.14
0.30
4.37


10.69
15.88
9.25
1.40
1.14
2.79
2.79
2.92
1.40
0.64
4.83
 
INCHES



.380
.421
.575
.625
.325
.364
.045
.055
.020
.045
.090
.110
.090
.110
.080
.115
.045
.055
.012
.025
.172
.190
V
F
.55V
I
FM
= 10A;
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
Measured at
1.0MHz,
V
R
=4.0V
I
R
1.0mA
50mA
350pF
C
J

A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
*Pulse Test: Pulse Width 300µsec, Duty Cycle 2%
www.mccsemi.com
2003/04/30
Revision: 3
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