ML774F8F,ML774F8F pdf中文资料,ML774F8F引脚图,ML774F8F电路-Datasheet-电子工程世界

ML774F8F: 产品描述Laser Diode, 1310nm; 产品类别光电子/LED 光电; 文件大小99KB，共3页; 制造商Mitsubishi(日本三菱); 官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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ML774F8F概述

Laser Diode, 1310nm

ML774F8F规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	HIGH RELIABILITY
配置	SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
最大正向电流	0.002 A
安装特点	THROUGH HOLE MOUNT
功能数量	1
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
光电设备类型	LASER DIODE
标称输出功率	10 mW
峰值波长	1310 nm
半导体材料	InGaAs
形状	ROUND
尺寸	1 mm
表面贴装	NO
最大阈值电流	20 mA

ML774F8F相似产品对比

	ML774F8F	ML776K8F	ML720D8S	ML720B8S
描述	Laser Diode, 1310nm	Laser Diode, 1310nm	Laser Diode, 1310nm	Laser Diode, 1310nm
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknow
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
配置	SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
最大正向电流	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A
安装特点	THROUGH HOLE MOUNT	THROUGH HOLE MOUNT	THROUGH HOLE MOUNT	THROUGH HOLE MOUNT
功能数量	1	1	1	1
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
光电设备类型	LASER DIODE	LASER DIODE	LASER DIODE	LASER DIODE
标称输出功率	10 mW	10 mW	10 mW	10 mW
峰值波长	1310 nm	1310 nm	1310 nm	1310 nm
半导体材料	InGaAs	InGaAs	InGaAs	InGaAs
形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
尺寸	1 mm	1.5 mm	1.5 mm	1 mm
表面贴装	NO	NO	NO	NO
最大阈值电流	20 mA	20 mA	20 mA	20 mA

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