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LMV822D

产品描述Operational Amplifiers - Op Amps Dual Low-Voltage Low Power RRO
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小558KB,共32页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
相似器件已查找到10个与LMV822D功能相似器件
敬请期待 详细参数

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LMV822D概述

Operational Amplifiers - Op Amps Dual Low-Voltage Low Power RRO

LMV822D规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.14 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.1 µA
标称共模抑制比85 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压4000 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
低-偏置NO
低-失调NO
微功率YES
湿度敏感等级1
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量2
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源2.5/5 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最小摆率1.4 V/us
标称压摆率1.7 V/us
最大压摆率0.9 mA
供电电压上限5.5 V
标称供电电压 (Vsup)2.7 V
表面贴装YES
技术BIPOLAR
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽5000 kHz
最小电压增益10000
宽带NO
宽度3.9 mm

与LMV822D功能相似器件

器件名 厂商 描述
KM4211IC8 Fairchild Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp
KM4211IC8TR3 Fairchild Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp
LMV822AIDT ST(意法半导体) Operational Amplifiers - Op Amps 400uA 5V Low PWR 50nA 0.8mV 5.5MHz
LMV822DE4 Texas Instruments(德州仪器) Operational Amplifiers - Op Amps Dual Low-Voltage Low Power RRO
LMV822DG4 Texas Instruments(德州仪器) Operational Amplifiers - Op Amps Dual Low Vltg Op Amp
LMV822DR Texas Instruments(德州仪器) Operational Amplifiers - Op Amps Dual Low-Voltage Low Power RRO
LMV822DRE4 Texas Instruments(德州仪器) Operational Amplifiers - Op Amps Dual Low-Voltage Low Power RRO
LMV822DRG4 Texas Instruments(德州仪器) Operational Amplifiers - Op Amps Dual Low Vltg Op Amp
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