24C04A-E/J,24C04A-E/J pdf中文资料,24C04A-E/J引脚图,24C04A-E/J电路-Datasheet-电子工程世界

24C04A-E/J: 产品描述512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, CDIP8, CERDIP-8; 产品类别存储存储; 文件大小344KB，共10页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com

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24C04A-E/J概述

512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, CDIP8, CERDIP-8

24C04A-E/J规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP8,.3
针数	8
Reach Compliance Code	unknow
其他特性	10K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)	0.1 MHz
数据保留时间-最小值	200
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DDMR
JESD-30 代码	R-GDIP-T8
JESD-609代码	e0
内存密度	4096 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	512 words
字数代码	512
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512X8
输出特性	OPEN-DRAIN
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
串行总线类型	I2C
最大待机电流	0.0001 A
最大压摆率	0.00425 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最长写入周期时间 (tWC)	1 ms
写保护	HARDWARE
Base Number Matches	1

24C04A-E/J相似产品对比

	24C04A-E/J	24C02A-I/J	24C01A-I/J	24C04A-I/J	24C01A-E/J	24C02A-E/J
描述	512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, CDIP8, CERDIP-8	256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, CDIP8, CERDIP-8	128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, CDIP8, CERDIP-8	512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, CDIP8, CERDIP-8	128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, CDIP8, CERDIP-8	256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, CDIP8, CERDIP-8
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	DIP, DIP8,.3	DIP, DIP8,.3	CERDIP-8	CERDIP-8	CERDIP-8	CERDIP-8
针数	8	8	8	8	8	8
Reach Compliance Code	unknow	compli	unknow	unknow	unknow	compli
其他特性	10K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS	DATA RETENTION > 40 YEARS	100K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS	100K ERASE/WRITE CYCLES MIN; HARDWARE WRITE PROTECT; DATA RETENTION > 40 YEARS	10K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS	10K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)	0.1 MHz	0.1 MHz	0.1 MHz	0.1 MHz	0.1 MHz	0.1 MHz
数据保留时间-最小值	200	200	40	200	40	200
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DDMR	1010DDDR	1010DDDR	1010DDMR	1010DDDR	1010DDDR
JESD-30 代码	R-GDIP-T8	R-GDIP-T8	R-GDIP-T8	R-GDIP-T8	R-GDIP-T8	R-GDIP-T8
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	4096 bi	2048 bi	1024 bi	4096 bi	1024 bi	2048 bi
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8	8	8
字数	512 words	256 words	128 words	512 words	128 words	256 words
字数代码	512	256	128	512	128	256
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	85 °C	85 °C	85 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	512X8	256X8	128X8	512X8	128X8	256X8
输出特性	OPEN-DRAIN	OPEN-DRAIN	OPEN-DRAIN	OPEN-DRAIN	OPEN-DRAIN	OPEN-DRAIN
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP8,.3	DIP8,.3	DIP8,.3	DIP8,.3	DIP8,.3	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
串行总线类型	I2C	I2C	I2C	I2C	I2C	I2C
最大待机电流	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A
最大压摆率	0.00425 mA	0.00425 mA	0.00425 mA	0.00425 mA	0.00425 mA	0.00425 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
最长写入周期时间 (tWC)	1 ms	1 ms	1 ms	1 ms	1 ms	1 ms
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1
写保护	HARDWARE	HARDWARE	-	HARDWARE	-	HARDWARE

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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