GBU4K: 产品描述2.8 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小147KB，共2页; 制造商Gulf Semiconductor; 官网地址http://www.gulfsemi.com/

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GBU4K概述

2.8 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

2.8 A, 800 V, 硅, 桥式整流二极管

GBU4K规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Gulf Semiconductor
Reach Compliance Code	unknown
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
Base Number Matches	1

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GBU4A THRU

GBU4M

SINGLE PHASE GLASS

PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

Voltage: 50

1000V

4.0A

Current:

Features

Ideal for printed circuit board

Glass passivated chip junction

High case dielectric strength

High surge current capability

This series is UL listed under Recognized Component Index,

file number E185029

GBU

Mechanical Data

Terminal: Plated leads solderable per MIL-STD 202E, method

208C

Case: UL-94 Class V-0 recognized Flame Retardant Epoxy

Polarity: Polarity symbol marked on body

Mounting position: Thru hole for #6 screw

Dimensions in millimeters

MAXIMUM

RATINGS AND ELECTRICAL

CHARACTERISTICS

(single-phase, half -wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated,

for capacitive load, derate current by 20%)

Symbol

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified

Tc = 100℃ (Note 1)

output current at

Ta = 40℃ (Note 2)

Peak forward surge current single sine-wave superimposed

on rated load (JEDEC Method)

Maximum instantaneous forward voltage drop per leg at 4.0A

Rating for fusing (t < 8.3ms)

Maximum DC reverse current at

rated DC blocking voltage per leg

Typical junction capacitance per leg

Maximum thermal resistance per leg

Operating junction and storage temperature range

Ta = 25°

Ta = 125°

(Note3)

(Note2)

(Note1)

Vrrm

Vrms

Vdc

If(av)

Ifsm

Rth(ja)

Rth(jc)

Tj, Tstg

100

22.0

4.2

-55 to +150

U4A

GBU

100

GBU

200

140

200

GBU

400

280

400

4.0

150

1.0

5.0

500

GBU

600

420

600

GBU

800

560

800

GBU

1000

700

1000

units

Sec

µA

℃/W

℃

Note:

1. Unit case mounted on 1.6 x 1.6 x 0.06” thick (4.0 x4.0 x 0.15cm) Al. Plate heatsink

2. Units mounted on P.C.B. with 0.5 x 0.5" (12 x 12mm) copper pads, 0.375" (9.5mm) lead length

3. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts

4. Recommended mounting position is to bolt down on heatsink with silicone thermal compound for maximum heat transfer with #6 screw

Rev.A4

www.gulfsemi.com

GBU4K相似产品对比

	GBU4K	GBU4A	GBU4D	GBU4B	GBU4G	GBU4J	GBU4M
描述	2.8 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	3 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	4 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
厂商名称	Gulf Semiconductor	Gulf Semiconductor	Gulf Semiconductor	Gulf Semiconductor	Gulf Semiconductor	Gulf Semiconductor	Gulf Semiconductor
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknown	unknow	unknow	unknown	unknown
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	-

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